深圳市宏捷佳电子科技有限公司

13年

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晶体管FDMA86265P原装现货供应!
晶体管FDMA86265P原装现货供应!
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晶体管FDMA86265P原装现货供应!

型号:

FDMA86265P

厂家:

ON Semiconductor

封装:

6-WDFN

年份:

19+

工作温度:

-55°C ~ 150°C(TJ)

功率耗散(值):

2.4W(Ta)

安装类型:

表面贴装型

产品信息

制造商 ON Semiconductor

制造商零件编号 FDMA86265P

描述 MOSFET P-CH 150V 1A 6-MLP

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)

原厂标准交货期 9 周

详细描述 表面贴装型-P-通道-150V-1A(Ta)-2.4W(Ta)-6-MicroFET(2x2)

标准包装   3,000

包装   标准卷带  

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

FDMA86265P

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 PowerTrench®

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 150V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On) 6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 1.2 欧姆 @ 1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 4nC @ 10V

Vgs(值) ±25V

FDMA86265P

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 210pF @ 75V

FET 功能 -FDMA86265P

功率耗散(值) 2.4W(Ta)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 6-MicroFET(2x2)

封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘

优势供应:


 SN74HCT244DWR

 FDMA86265P

 SN74HC148DR

 SN74HC27DR

 SN74HC164DR

 SN74HC164DR

 SN74HC32DR

 SN74HC00DR

 SN74HCT245DWR

 SN74HC04N

 SN74HC175DR

 SN74HC125DR

 SN74HC08N

 SN74HC02DR

 SN74HC109DR

 SN74HCT373N

 SN74HCT02DR

 SN74HC20DR

 SN74HC14APWR

 SN74HC374NSR

 SN74HC373ANSR

 SN74HC11DR

 SN74HC245DWR

 SN74HC74DR

 SN74HC74PWR

 SN74HCT374N

 SN74HC540DWR

 SN74HC573PWR

 SN74HC244N

 MAX1701EEE-T

 MAX797CSE

 MAX5919AEEE

 MAX232ECDR

 MAX3100CEE

 MAX3232ECDR

 MAX691ACSE

 MAX3645EEE+T

 MAX1793EUE15+T

 MAX232ACSE+T

 MAX970EEE+T

 MAX308EPE

 MAX232CPE