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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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产品信息
制造商 ON Semiconductor
制造商零件编号 FDP2532
ON晶体管FDP2532全新原装热卖
描述 MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
原厂标准交货期 4 周
详细描述 通孔-N-沟道-pval-2068-8A（Ta）-79A（Tc）-310W（Tc）-TO-220-3
ON晶体管FDP2532全新原装热卖
标准包装 800
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 PowerTrench®
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Ta），79A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 16 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 107nC @ 10V
ON晶体管FDP2532全新原装热卖
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 5870pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 310W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
ON晶体管FDP2532全新原装热卖
优势供应：
IPW60R045CS
IPW60R099CS
IPW60R125CP
IPS04N03LA
IPSH4N03LA
IPU04N03LA
IPS05N03LA
IPS06N03LA
IPSH6N03LA
ILD03N60
IPD03N03LA
IPD04N03L
IPD10N03LA
IPD12N03L
IPF09N03LA
IPD03N03LA
IPD04N03LA
IPD10N03LA
IPD12N03L
IPF04N03LA
IPF05N03LA
IPF09N03LA
BUZ74A
BUZ78
IGB03N120H2
IPB03N03LA
IPB09N03LA
IPB11N03LA
IPB14N03LA
IGB01N120H2
IGB15N60T
IGB50N60T
IPB04N03LA
IPB09N03LA
IPB10N03L
IPB11N03LA
IPB14N03LA
BSL207SP
BSL211SP
BSL307SP
IRF1010NS
1N5820
110CNQ045A
112CNQ030A
113CNQ100A
