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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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产品信息
制造商零件编号 :SI7884BDP-T1-GE3
描述: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK 8SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 :无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
数据列表:SI7884BDP
产品相片:PowerPAK SO-8 Pkg
标准包装 : 3,000
类别:分立式导体产品
家庭:FET - 单
系列:-
包装: 带卷 (TR)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):58A (Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值):7.5 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):77nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3540pF @ 20V
功率 - 值:46W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK® SO-8
供应商器件封装:PowerPAK® SO-8
产品目录页面1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称SI7884BDP-T1-GE3TRSI7884BDPT1GE3